CMOS（Complementary etal-Oxide Semiconductor）

王存航 · *王存航* 显示全部楼层 *发表于 2014-12-31 09:01:31* |阅读模式

CMOS、附加金属氧化物半导体组件和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带–电）和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而，CMOS的缺点就是太容易出现杂点，这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
CCD和CMOS各自的利弊，我们可以从技术的角度来比较两者主要存在的区别：
信息读取方式不同。CCD传感器存储的电荷信息需在同步信号控制下一位一位的实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。
速度有所差别。CCD传感器需在同步时钟的控制下以行为单位一位一位的输出信息，速度较慢；而CMOS传感器采集光信号的同
CCD和CMOS外观有两大类，一类是与上面接受管类似的结构，另一类是类似DIP封装形式的集成电路上面带有长条或者方形天窗的结构，这种结构在扫描仪，传真机，复印机，以及医疗设备成像应用方面很多。判断好坏也很复杂，但注意的是，这个芯片往往在光路的尽头，拆卸它势必会扰动整个光路系统，将来的调试复位非常麻烦，无论何种接受管，只要更换就必须对光路和电路进行重新的匹配调整。
转自：医疗维修在线

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[电子基础知识] CMOS（Complementary etal-Oxide Semiconductor）

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